photoengraving光刻平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一項(xiàng)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。其主要步驟如下：1.涂布光致抗蝕劑（或稱光刻膠）;2.掩模板套準(zhǔn)并曝光；3. 用顯影液溶去感光的光刻膠；4.用腐蝕液去除無光刻膠保護(hù)部分的二氧化硅；5. 去除光刻膠。光刻工藝不僅可為定域擴(kuò)散開出所需的擴(kuò)散窗孔，而且也可用來制作集成電路的金屬互連圖案。 |